Trung Quốc ra mắt bộ nhớ flash nhanh gấp 10.000 lần SSD hiện nay

Vào ngày 23/04/2025, ngành công nghệ toàn cầu xôn xao với thông tin từ GenK: các nhà khoa học Trung Quốc tại Đại học Thanh Hoa tuyên bố phát minh công nghệ bộ nhớ flash mới với tốc độ đọc/ghi gấp 10.000 lần SSD hiện tại, đạt 25 tỷ bit/giây (khoảng 3,125 GB/giây). Công nghệ này, được gọi là Universal Flash Memory (UFM), hứa hẹn cách mạng hóa lưu trữ dữ liệu, từ PC, smartphone đến trung tâm dữ liệu.

So với SSD NVMe Gen 5 (tốc độ tối đa ~14 GB/s), UFM không chỉ nhanh hơn mà còn tiết kiệm năng lượng và bền bỉ hơn. Bài viết từ Phong Vũ Tech News sẽ phân tích chi tiết công nghệ này, tiềm năng ứng dụng, và tác động đến thị trường công nghệ năm 2025.

I. Công nghệ Universal Flash Memory là gì?

Universal Flash Memory (UFM) là bước đột phá trong công nghệ bộ nhớ flash, sử dụng vật liệu ferroelectric hafnium oxide (HfO2) kết hợp cấu trúc 3D stacking để tối ưu hóa hiệu suất. Theo nhóm nghiên cứu tại Đại học Thanh Hoa, UFM khắc phục hạn chế của bộ nhớ flash NAND truyền thống (như độ trễ, tốc độ giới hạn bởi kênh truyền) bằng cách:

• Tăng băng thông: Sử dụng kiến trúc song song hóa dữ liệu, UFM đạt tốc độ 25 tỷ bit/giây, nhanh gấp 10.000 lần SSD SATA (0,5 GB/s) và 200 lần SSD NVMe Gen 5 (14 GB/s).
• Giảm độ trễ: Độ trễ giảm xuống dưới 10 nanogiây, so với 70-100 µs của SSD hiện tại, cho phép truy cập dữ liệu gần như tức thời.
• Tiết kiệm năng lượng: UFM tiêu thụ điện thấp hơn 50% nhờ vật liệu ferroelectric, lý tưởng cho thiết bị di động và trung tâm dữ liệu (giảm 30% chi phí vận hành).
• Độ bền cao: Hỗ trợ 10 triệu chu kỳ ghi/xóa, gấp 10 lần NAND 3D QLC (1 triệu chu kỳ), kéo dài tuổi thọ ổ cứng.

Công nghệ này tích hợp AI-driven controllers để tối ưu hóa quản lý dữ liệu, giảm hiện tượng phân mảnh và tăng hiệu quả lưu trữ. Thử nghiệm cho thấy UFM xử lý khối lượng công việc AI (như huấn luyện mô hình LLM) nhanh hơn 80% so với SSD doanh nghiệp.

II. Công nghệ UFM hoạt động như thế nào?

UFM sử dụng cấu trúc ferroelectric field-effect transistor (FeFET), thay thế transistor MOS trong NAND flash. Các đặc điểm chính:

1. Vật liệu ferroelectric: HfO2 cho phép lưu trữ dữ liệu ở trạng thái phân cực điện, tăng tốc độ chuyển đổi bit (0/1) lên 100 lần so với NAND.
2. 3D stacking cải tiến: Tăng mật độ lưu trữ lên 1 Tb/mm² (gấp 5 lần NAND 3D 200 lớp), giảm kích thước chip nhưng vẫn đảm bảo dung lượng lớn (lên đến 8TB trên chip 1cm²).
3. Kênh truyền song song: UFM sử dụng 256 kênh truyền dữ liệu (so với 8-16 kênh ở SSD NVMe), giảm tắc nghẽn và tăng băng thông.
4. Tích hợp quang học: Một số module UFM thử nghiệm dùng photon để truyền dữ liệu nội bộ, giảm độ trễ thêm 20%, lấy cảm hứng từ chip AI quang học của Đại học Thượng Hải.

Trong thử nghiệm tại Thanh Hoa, UFM hoàn thành việc sao chép file 1TB chỉ trong 0,3 giây, so với 70 giây trên SSD NVMe Gen 5 (Samsung 990 Pro). Kết quả này khiến cộng đồng công nghệ trên X sôi nổi, với tài khoản @AnilVohra1962 ví UFM như “DeepSeek của lưu trữ dữ liệu”.

III. Tiềm năng ứng dụng của UFM

Công nghệ UFM mở ra nhiều ứng dụng đột phá trong các lĩnh vực:

• Máy tính cá nhân: UFM giúp khởi động Windows 11 24H2 trong 0,5 giây, tải game nặng (Black Myth: Wukong) trong 1 giây, so với 10-15 giây trên SSD hiện tại. Laptop dùng UFM có thể kéo dài pin thêm 2-3 giờ.
• Smartphone: Tích hợp UFM vào Vivo X200 Pro hoặc iPhone 17 (2025) cho phép quay video 8K 120fps mà không lo đầy bộ nhớ, với tốc độ lưu trữ nhanh hơn 50 lần chip UFS 4.0.
• Trung tâm dữ liệu: UFM giảm 70% thời gian xử lý khối lượng công việc AI (như huấn luyện GPT-5), tiết kiệm hàng triệu USD chi phí điện/nước làm mát. Google và AWS có thể áp dụng để cạnh tranh với DeepSeek.
• Y tế: Tăng tốc truyền dữ liệu hình ảnh y khoa (MRI, CT) trên mạng cáp quang 50.000 Mbps, hỗ trợ chẩn đoán từ xa trong 0,1 giây.
• Công nghiệp quân sự: Tích hợp vào radar Bắc Đẩu để xử lý dữ liệu máy bay tàng hình (F-22, F-35) trong thời gian thực, tăng khả năng phản ứng 30%.

Theo South China Morning Post, UFM có thể giúp Trung Quốc dẫn đầu ngành lưu trữ, cạnh tranh trực tiếp với Samsung, Micron, và Western Digital.

IV. Tác động đến thị trường công nghệ

Sự ra đời của UFM gây áp lực lớn lên các nhà sản xuất bộ nhớ toàn cầu:

1. Cạnh tranh khốc liệt: Samsung, với SSD 990 Pro, có thể mất 20% thị phần nếu không phát triển công nghệ tương tự. Tài khoản @S8gy2AEgVRHyS2Q trên X dự đoán “Samsung sẽ gặp khó khăn”.
2. Giảm giá SSD: UFM rẻ hơn 30% nhờ quy trình sản xuất tối ưu (chi phí ~50 USD/TB so với 70 USD/TB của NAND). Điều này buộc Micron và SK Hynix giảm giá SSD NVMe xuống 15% trong quý 4/2025.
3. Tăng đầu tư R&D: Intel và AMD có thể hợp tác với TSMC để phát triển bộ nhớ tương tự, đẩy mạnh cuộc đua công nghệ lưu trữ (thị trường đạt 200 tỷ USD năm 2025, theo Gartner).
4. Thay đổi chuỗi cung ứng: Trung Quốc, với SMIC và YMTC, có thể cung cấp UFM cho Huawei, Vivo, và Xiaomi, giảm phụ thuộc vào chip Mỹ, đặc biệt sau lệnh cấm EUV của ASML.

Tuy nhiên, UFM vẫn đối mặt thách thức:

• Thương mại hóa: Công nghệ đang thử nghiệm, cần 12-18 tháng để sản xuất hàng loạt (dự kiến quý 3/2026).
• Tương thích: UFM yêu cầu giao thức mới (khác PCIe 5.0), buộc các hãng như NVIDIA phát triển bo mạch chủ mới.
• Bảo mật: Tích hợp AI controllers tăng nguy cơ tấn công mạng, cần mã hóa dữ liệu mạnh hơn (như AES-512).

So sánh với các công nghệ khác

UFM vượt trội hơn các công nghệ lưu trữ hiện tại:

UFM cũng cạnh tranh với bộ nhớ quang học (như chip AI Thượng Hải), nhưng ưu thế nằm ở tính linh hoạt và chi phí thấp hơn 40%.

Phản ứng cộng đồng và triển vọng

Trên X, UFM nhận được nhiều phản hồi tích cực. @MSSFunkdelic gọi đây là “cú hit công nghệ” (@MSSFunkdelic, 19/04/2025), trong khi @TechVN2025 nhận xét: “UFM có thể giúp PC Việt Nam mạnh hơn, giá rẻ hơn”. Tuy nhiên, một số lo ngại về tính khả thi thương mại, với @UserX2025 cho rằng “cần kiểm chứng thực tế, không chỉ trên giấy”.

Các chuyên gia dự đoán UFM sẽ chiếm 10% thị trường lưu trữ vào 2027, nhờ giá rẻ và hiệu năng cao. Tại Việt Nam, các hãng như FPT, Viettel có thể tích hợp UFM vào server AI, giảm chi phí vận hành 25%. Người dùng cá nhân sẽ sớm thấy UFM trên laptop ASUS ROG hoặc Xiaomi SU7 (2026).

Kết luận

Công nghệ Universal Flash Memory của Đại học Thanh Hoa là bước ngoặt trong lưu trữ dữ liệu, với tốc độ 25 tỷ bit/giây, độ trễ thấp, và độ bền vượt trội. Dù còn trong giai đoạn thử nghiệm, UFM hứa hẹn thay đổi cách chúng ta sử dụng PC, smartphone, và trung tâm dữ liệu, đồng thời củng cố vị thế Trung Quốc trong ngành công nghệ. Với tiềm năng giảm giá SSD và tăng hiệu suất AI, UFM là công nghệ đáng theo dõi năm 2025.

Bài viết liên quan:

• Schenker Key 18 Pro ra mắt: Laptop 18 inch với RTX 5090 và 32TB SSD
• Các bước lắp SSD cho PC chi tiết, dễ thực hiện
• SSD PCIe 6.0 đầu tiên đạt tốc độ ‘khủng’ đến 27 GB/giây